磁流体中间激波的相互作用

本文讨论磁流体中间激波的相互作用规律．主要结论：中间激波汇合的产物为后向快简单波、后向慢简单波或慢激波、接触间断、前向慢激波和前向快激波，其中后向波成份和接触间断很弱．当左（右）激波较强时，中国激波碰撞产物为后（前）向快激波、后（前）向慢简单波或慢激波、负（正）切向间断、前（后）向慢简单波和前（后）向快激波．     

速率检测中新型定角脉冲产生电路

介绍了一种用于转台速率检测的新型定角脉冲产生电路,详细说明了其工作原理和性能,并给出了实测结果。     

Luminescent Nanocrystalline Silicon Carbide Thin Film Deposited by Helicon Wave Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition

Hydrogenated nanocrystalline silicon carbide （SIC） thin films were deposited on the single-crystal silicon substrate using the helicon wave plasma enhanced chemical vapor deposition （HW-PECVD） technique. The influences of magnetic field and hydrogen dilution ratio on the structures of SiC thin film were investigated with the atomic force microscopy （AFM）, the Fourier transform infrared absorption （FTIR） and the transmission electron microscopy （TEM）. The results indicate that the high plasma activity of the helicon wave mode proves to be a key factor to grow crystalline SiC thin films at a relative low substrate temperature. Also, the decrease in the grain sizes from the level of microcrystalline to that of nanocrystalline can be achieved by increasing the hydrogen dilution ratios. Transmission electron microscopy measurements reveal that the size of most nanocrystals in the film deposited under the higher hydrogen dilution ratios is smaller than the doubled Bohr radius of 3C-SiC （approximately 5.4 nm）, and the light emission measurements also show a strong blue photoluminescence at the room temperature, which is considered to be caused by the quantum confinement effect of small-sized SiC nanocrystals.     

多晶硅沉淀的灰色分析

本文给出了灰色信噪比的定义，并将其用于多晶硅沉淀的数据分析，使表面缺陷和沉淀厚度在最佳条件下试验结果与灰色预估值更符合。     

二氧化硅反应离子刻蚀中的微负载效应研究

对二氧化硅反应离子刻蚀中反应室压力,刻蚀气体流量和射频功率等因素对刻蚀速率和刻蚀均匀性的影响进行了研究。结果表明,通过对反应室压力、刻蚀气体流量和射频功率的调节,可以降低微负载效应的影响,得到良好的刻蚀均匀性。     

发动机中介机匣焊接延迟裂纹控锦工艺研究

针对某型发动机中介机匣焊接后产生延迟裂纹的问题,通过梳理原工艺和分析材料的焊接性能,调整工艺方案．获得控制焊接延迟裂纹的有效技术途径。     

藏传密宗对死亡的认知

中国传统文化中对死亡的讨论很少,在雪域高原的宗教里,死亡却是一种艺术,一种通过死而认知生的艺术。在这一生一死间,对生命的珍惜、敬重感油然而出。从藏传密宗上师密勒日巴尊者的入灭启示,影响西藏宗教很深的"中阴"密法及其意义等方面论述,以期更多地了解雪域高原的这种死亡艺术。     

适用自动铺丝工艺的中模高强碳纤维预浸料研究

目前,自动铺丝技术是航天航空大型结构件制备工艺的发展方向,而中模高强碳纤维预浸料适用于航天航空主承力结构件的制备,达到减重的需求,因此,自动铺丝工艺用中模高强碳纤维预浸料的研究至关重要。采用HF40A中模高强碳纤维匹配EH918树脂体系,开展了预浸料的自动铺丝工艺适用性研究。通过与满足自动铺丝工艺的某预浸料对比分析,确定了满足自动铺丝工艺要求的EH918/HF40A;对比手工铺放与自动铺丝制备的板材的力学性能,数据表明,自动铺丝板材的力学性能与手工铺放板材性能相当,无明显差异;采用该材料和自动铺丝工艺制备了典型部件,并进行了无损测试,其质量满足指标要求。     

Si对In718合金凝固过程及元素偏析的影响

本文研究了Ｓｉ对Ｉｎ７１８合金凝固过程及元素偏析的影响。结果表明，当Ｓｉ含量升高后，不仅在枝晶或Ｌａｖｅｓ相中偏析程度加剧，而且在枝晶内的浓度也逐渐升高而达到显著水平。Ｓｉ降低Ｎｂ在Ｌａｖｅｓ相中的溶解度，因而促进Ｌａｖｅｓ相的析出，提高Ｌａｖｅｓ相吸收剩余液体的能力，缩小偏析区的面积。分析认为，过分降低Ｓｉ含量对改善合金凝固组织及提高终凝温度的作用不大。     

SIMOX样品导电类型反型的研究

氧离子注入Ｐ型（１００）单晶硅形成ＳＩＭＯＸ样品，经俄歇电子能谱、扩展电阻仪测试，形成了ＳＯＩ结构；经霍尔测试仪测试，制备的ＳＩＭＯＸ样品表层硅膜反型为Ｎ型导电类型，ＳＩＭＯＸ样品的反型是硅中的氧施主所致，由近自由电子的类氦模型计算，氧施主电离能力为０．１５ｅＶ，该值与早期文献报道的实验值一致。